三星电子株式会社金廷奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010418938.0，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权三维半导体存储器装置是由金廷奂;金成吉;金东谦;金智美;崔至薰设计研发完成，并于2020-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：公开了一种三维半导体存储器装置。所述装置可以包括：衬底上的第一源导电图案，其包括包含第一晶粒的多晶材料，衬底可以包括包含第二晶粒的多晶材料，第一晶粒的粒度小于第二晶粒的粒度；堆叠件，其包括多个栅电极，所述多个栅极堆叠在第一源导电图案上；以及竖直沟道部分，其穿透堆叠件和第一源导电图案，并且竖直沟道部分与第一源导电图案的侧表面接触。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，包括： 第一源导电图案，其包括包含第一晶粒的多晶材料，所述第一源导电图案位于衬底上，所述衬底包括包含第二晶粒的多晶材料，所述衬底和所述第一源导电图案中的每一个包括n型杂质，并且所述第一晶粒的粒度小于所述第二晶粒的粒度； 堆叠件，其包括多个栅电极，所述多个栅电极堆叠在所述第一源导电图案上；以及 竖直沟道部分，其穿透所述堆叠件和所述第一源导电图案，并且所述竖直沟道部分与所述第一源导电图案的侧表面接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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