香港科技大学巫凯意获国家专利权
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龙图腾网获悉香港科技大学申请的专利使用应力控制制造厚电介质膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011007564.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权使用应力控制制造厚电介质膜的方法是由巫凯意;潘永安设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用应力控制制造厚电介质膜的方法在说明书摘要公布了：本文公开了一种在用于器件制造的晶圆上制造厚的无裂纹电介质膜的方法。在晶圆的围绕多个器件区域的氧化物层中制造应力释放图案。应力释放图案包括多个凹部，多个凹部沿着至少一个方向周期性地间隔开。多个凹部在电介质膜沉积期间中断连续的膜，以防止在电介质膜中形成裂纹并扩展到器件区域中。因此，可以在通过图案化电介质层形成的器件区域中获得厚的无裂纹电介质膜。此外，可调整电介质膜沉积工艺的条件以确保所沉积的电介质膜的质量。此外，可执行多个沉积过程以沉积厚的无裂纹电介质膜。
本发明授权使用应力控制制造厚电介质膜的方法在权利要求书中公布了：1.用于在晶圆上制造电介质膜的方法，包括： 在所述晶圆的氧化物层中制造预定图案，以在所述晶圆的顶表面上形成多个器件区域，其中，所述预定图案包括多个凹部，所述多个凹部围绕每个所述器件区域；多个间隔的凹部包括十字形凹部的阵列，其中，偶数行中的十字形凹部相对于奇数行中的十字形凹部旋转45°； 在所述氧化物层上沉积所述电介质膜；以及 图案化所述电介质膜以在所述器件区域中形成多个器件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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