三星电子株式会社孙奫豪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110180621.2，技术领域涉及：H10B41/40；该发明授权半导体装置是由孙奫豪;金锡来;朴世真;申胜仲;李惠媛设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置。该半导体装置包括用于存储数据的存储器单元电容器。存储器单元电容器包括：多个底部电极，其位于衬底上，并且在相对于衬底的顶表面的竖直方向上延伸，多个底部电极在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；上支撑图案，其位于多个底部电极的上侧表面上；以及下支撑图案，其位于多个底部电极的下侧表面上。下支撑图案设置在衬底与上支撑图案之间，多个底部电极中的第一底部电极包括与下支撑图案的底表面邻近的第一凹部。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 存储器单元电容器，其被配置为存储数据， 其中，所述存储器单元电容器包括： 多个底部电极，其位于衬底上，并且在相对于所述衬底的顶表面的竖直方向上延伸，其中，所述多个底部电极在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开； 上支撑图案，其位于所述多个底部电极的上侧表面上；以及 下支撑图案，其位于所述多个底部电极的下侧表面上， 其中，所述下支撑图案设置在所述衬底与所述上支撑图案之间，并且 其中，所述多个底部电极中的第一底部电极包括与所述下支撑图案的底表面邻近的第一凹部，所述第一凹部从所述第一底部电极的侧表面凹入到所述第一底部电极中，并且在所述第一方向上将所述第一底部电极的一部分与所述下支撑图案间隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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