索尼半导体解决方案公司龟井贵弘获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像元件和摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113302761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080008764.9，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权摄像元件和摄像装置是由龟井贵弘设计研发完成，并于2020-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像元件和摄像装置在说明书摘要公布了：根据本公开实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有布置有多个像素的有效像素区域和布置在有效像素区域周围的周边区域；第一电极，包括多个电极并设置在半导体基板的光接收面侧；第二电极，被设置成与第一电极相对；光电转换部，具有电荷累积层和光电转换层，电荷累积层和光电转换层依次层叠在第一电极和第二电极之间并且在有效像素区域中延伸；第一氢阻挡层，覆盖光电转换层的顶部和侧面以及电荷累积层的侧面；层间绝缘层，设置在半导体基板和光电转换部之间；和分离槽，在有效像素区域和周边区域之间的区域的至少一部分中使层间绝缘层分离，所述分离槽的侧面和底面被所述第一氢阻挡层覆盖。
本发明授权摄像元件和摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像元件，其包括： 半导体基板，其具有布置有多个像素的有效像素区域和布置在所述有效像素区域周围的周边区域； 光电转换部，其包括第一电极、第二电极以及电荷累积层和光电转换层，所述第一电极设置在所述半导体基板的光接收面侧并包括多个电极，所述第二电极被设置成与所述第一电极相对，所述电荷累积层和所述光电转换层依次层叠并设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且在所述有效像素区域中延伸； 第一氢阻挡层，其覆盖所述光电转换层的上方和侧面以及所述电荷累积层的侧面； 层间绝缘层，其设置在所述半导体基板和所述光电转换部之间；和 分离槽，其在所述有效像素区域和所述周边区域之间的至少一部分中使所述层间绝缘层分离，所述分离槽的侧面和底面被所述第一氢阻挡层覆盖， 其中，所述第一氢阻挡层形成为包括具有透光性的金属氧化物和具有透光性的氧化物半导体。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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