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台湾积体电路制造股份有限公司黄乾燿获国家专利权

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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路装置及其形成方法、集成电路的系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113314529B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011313663.0,技术领域涉及:H10D84/85;该发明授权集成电路装置及其形成方法、集成电路的系统是由黄乾燿;林文傑;陈国基设计研发完成,并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

集成电路装置及其形成方法、集成电路的系统在说明书摘要公布了:一种集成电路装置包括第一半导体类型的多个第一阱分接头单元,及不同于第一半导体类型的第二半导体类型的多个第二阱分接头单元。多个第一阱分接头单元配置在至少两个列中,至少两个列在第一方向上彼此相邻且在横向于第一方向的第二方向上延伸。多个第一阱分接头单元中的每一个具有在第一方向上的第一长度。多个第二阱分接头单元包括至少一个第二阱分接头单元,至少一个第二阱分接头单元在大于第一方向上的多个第一阱分接头单元中的每一个的第一长度的第二长度上,在至少两个列之间,在第一方向上延伸。一种集成电路装置的形成方法及集成电路的系统亦在此揭露。

本发明授权集成电路装置及其形成方法、集成电路的系统在权利要求书中公布了:1.一种集成电路装置,其特征在于,包含: 一第一半导体类型的多个第一阱分接头单元; 一第二半导体类型的多个第二阱分接头单元,所述第二半导体类型不同于所述第一半导体类型, 其中所述多个第一阱分接头单元配置在至少两个列中,所述至少两个列在一第一方向上彼此相邻且在横向于所述第一方向的一第二方向上延伸, 所述多个第一阱分接头单元中的每一个具有在所述第一方向上的一第一长度,且 所述多个第二阱分接头单元包含至少一个第二阱分接头单元,所述至少一个第二阱分接头单元具有在所述第一方向上大于所述第一长度的一第二长度,其中所述至少一个第二阱分接头单元沿所述第一方向在所述至少两个列之间延伸; 多个鳍特征,在所述第一方向上延伸,在所述多个第二阱分接头单元中;以及 一电阻器,耦接所述多个第二阱分接头单元中的一个, 当相邻所述多个第二阱分接头单元之间的距离增加时,所述电阻器的电阻增加,当所述多个第二阱分接头单元的所述多个鳍特征的长度增加时,所述电阻器的所述电阻减少。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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