株式会社迪思科中村胜获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110404974.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶片的加工方法是由中村胜设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，不在晶片的外周残留改质层或碎屑，能够设定与形成环状的加强部的区域靠近的器件区域。该方法包含：改质层形成工序，从晶片的背面按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域对应的内部的方式对晶片照射激光束，呈环状形成未达到晶片的完工厚度的改质层；保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；加强部形成工序，利用卡盘工作台对保护部件侧进行保持，对晶片的背面进行磨削，使解理面从呈环状形成的改质层到达正面并去除改质层，并且将晶片的与器件区域对应的区域薄化至完工厚度，在晶片的与外周剩余区域对应的区域形成环状的加强部；和背面加工工序，对晶片的背面实施规定的加工。
本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有多个器件被多条分割预定线划分的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中， 该晶片的加工方法包含如下的工序： 改质层形成工序，从晶片的背面按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部的方式对晶片照射该激光束，呈环状形成未达到晶片的完工厚度的改质层； 保护部件配设工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的该正面上配设保护部件； 加强部形成工序，利用卡盘工作台对该保护部件侧进行保持，对晶片的该背面进行磨削，从而使解理面从呈环状形成的该改质层到达该正面并将该改质层去除，且能在该改质层被去除的状态下，沿着从该改质层延伸至该正面的该解理面将该环状的加强部去除，并且将晶片的与该器件区域对应的区域薄化至完工厚度，在晶片的与该外周剩余区域对应的区域形成环状的加强部；以及 背面加工工序，对晶片的该背面实施规定的加工。
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