台湾积体电路制造股份有限公司苏怡年获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110814514.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权制造半导体元件的方法是由苏怡年;陈育裕设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体元件的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体元件的方法，本揭露内容的实施例提供用于形成具有介电切割特征的导电线路的方法。具体而言，本揭露内容的实施例提供一种用于使用两个图案化制程而形成导电线路图案的方法。在第一图案化制程中形成线路图案。在第二图案化制程中，在切割图案之上形成线路图案。通过形成具有宽度小于线路图案的线路宽度的切割开口，且接着采用遮罩材料填充该切割开口，而形成切割图案。
本发明授权制造半导体元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含： 沉积一第一硬质遮罩层于一介电层上； 形成多个遮罩条于该第一硬质遮罩层中，其中该些遮罩条通过多个开口隔开； 填充一第一材料于该些遮罩条之间的该些开口中； 形成通过该第一材料的一切割开口，其中该些遮罩条沿着一第一方向在长度方向延伸，该切割开口沿着垂直于该第一方向的一第二方向在长度方向延伸，且该切割开口与两个或更多个遮罩条相交； 采用一第二材料填充该切割开口； 去除该第一材料以暴露该第二材料及该些遮罩条； 使用该些遮罩条及该第二材料图案化该介电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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