东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司史蒂文·孔西利奥获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司申请的专利用于控制阻变随机存取存储器器件中的形成电压的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113795936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080031776.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权用于控制阻变随机存取存储器器件中的形成电压的方法是由史蒂文·孔西利奥;考利·瓦吉达;坎达巴拉·塔皮利;角村贵昭;安藤崇志;保罗·贾米森;爱德华·阿尔贝特·卡蒂埃;维贾伊·纳拉亚南;马里纳斯·J·P·霍普斯塔肯设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于控制阻变随机存取存储器器件中的形成电压的方法在说明书摘要公布了：一种用于控制阻变随机存取存储器ReRAM器件中的介电薄膜的形成电压的方法。该方法包括：在基板上沉积含有本征缺陷的介电薄膜，形成等离子体激发的含H2气的处理气体，以及将该介电薄膜暴露于该等离子体激发的处理气体中以在该介电薄膜中产生附加缺陷而没有显著改变该介电薄膜的物理厚度，其中该附加缺陷降低了在该介电薄膜上产生导电细丝所需的形成电压。该介电薄膜可以包括金属氧化物薄膜以及可以使用微波等离子体源来形成该等离子体激发的处理气体。
本发明授权用于控制阻变随机存取存储器器件中的形成电压的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成阻变随机存取存储器ReRAM器件的方法，该方法包括： 在基板上沉积含有本征缺陷的介电薄膜； 形成等离子体激发的含H2气的处理气体；以及 将该介电薄膜暴露于该等离子体激发的处理气体中以在该介电薄膜中产生附加缺陷，其中该附加缺陷降低了在该介电薄膜上产生导电细丝所需的形成电压；以及 所述的方法进一步包括： 在将该介电薄膜暴露于该等离子体激发的处理气体中之后，在该介电薄膜上沉积附加的介电薄膜，所述附加的介电薄膜含有本征缺陷；以及 将该附加的介电薄膜暴露于附加的等离子体激发的含H2气的处理气体中以在该附加的介电薄膜中产生附加缺陷。
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