拓荆科技股份有限公司金基烈获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利降低晶圆偏移的半导体制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010580941.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权降低晶圆偏移的半导体制造方法是由金基烈;田云龙;初春设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低晶圆偏移的半导体制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体制造方法，包含：将一晶圆置于一处理腔体中的一托盘上，其中该处理腔体的环境根据一进气手段及或一排气手段具有一气体流量；将该处理腔体的气体流量维持在一第一低流量，以执行一第一处理；将该处理腔体的气体流量从该低流量提高至一高流量，以执行一第二处理；及于该第二处理之后，将该处理腔体的气体流量从该高流量下降至一第二低流量。
本发明授权降低晶圆偏移的半导体制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造方法，其特征在于，包含： 将一晶圆置于一处理腔体中的一托盘上，其中，所述托盘为一加热盘且具有用于容置该晶圆的一下沉空间，该下沉空间的直径大于该晶圆的直径，该处理腔体的环境根据一进气手段及或一排气手段具有一气体流量； 将该处理腔体的气体流量维持在一第一低流量，以执行一第一处理； 将该处理腔体的气体流量从该第一低流量提高至一高流量，以执行一第二处理；及于该第二处理之后，将该处理腔体的气体流量从该高流量下降至一第二低流量，其中，所述第一低流量及所述第二低流量介于1.1至2.0公升分钟，所述高流量介于5.0至11.6公升分钟，在从该第一低流量提高至该高流量之前，将该处理腔体中的环境从一第一压力阶梯上升至一第二压力，该第二压力适用于一工艺处理，在从该低流量提高至该高流量之前，施加一射频功率至该托盘，使该托盘以库伦力吸附该晶圆。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技股份有限公司，其通讯地址为：110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励