长江存储科技有限责任公司胡思平获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维集成结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003166.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维集成结构及其形成方法是由胡思平设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维集成结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括具有第一侧的第一衬底层，装置形成在该第一侧之上。在半导体装置中，第一电介质结构形成在第一衬底层的其中定位所述装置的第一侧之上。第一电介质结构包括与第一衬底层的第一侧接触的底表面。第一电介质结构的底表面的一部分不被第一衬底层覆盖。半导体装置还包括第一电子结构，其定位在第一电介质结构的底表面的未被覆盖的部分之上，使得第一电子结构和第一衬底层定位在第一电介质结构的底表面的同一侧。第一电子结构键合到第一电介质结构。
本发明授权三维集成结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 具有第一侧的第一衬底层，装置形成在所述第一侧之上； 第一电介质结构，其形成在所述第一衬底层的其中定位了所述装置的所述第一侧之上，所述第一电介质结构包括与所述第一衬底层的所述第一侧接触的底表面，所述第一电介质结构的所述底表面的一部分未被所述第一衬底层覆盖；以及 第一电子结构，其定位在所述第一电介质结构的所述底表面的未被覆盖的部分之上，使得所述第一电子结构和所述第一衬底层定位在所述第一电介质结构的所述底表面的同一侧，所述第一电子结构进一步键合到所述第一电介质结构， 其中，所述第一电子结构包括逻辑电子结构、存储器电子结构和模拟电子结构中的一个。
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