克罗米斯有限公司弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫获国家专利权
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龙图腾网获悉克罗米斯有限公司申请的专利用于功率器件的氮化镓外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111481180.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于功率器件的氮化镓外延结构是由弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;史帝夫·莱斯特;奥兹古·阿克塔斯设计研发完成，并于2018-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于功率器件的氮化镓外延结构在说明书摘要公布了：一种用于在具有衬底热膨胀系数的工程化衬底上制备多层器件的方法，包括：在所述工程化衬底上生长缓冲层；和在所述缓冲层上生长第一外延层。所述第一外延层的特征是具有与所述衬底热膨胀系数实质上相同的外延热膨胀系数。
本发明授权用于功率器件的氮化镓外延结构在权利要求书中公布了：1.一种在具有衬底热膨胀系数的工程化衬底上制造多层高电子迁移率晶体管HEMT器件的方法，所述方法包括： 提供工程化衬底，所述工程化衬底包括： 多晶衬底； 封装所述多晶衬底的扩散阻挡层； 耦合至所述扩散阻挡层的键合层；以及 耦合至所述键合层的单晶硅层； 在所述单晶硅层上生长缓冲层； 生长耦合至所述缓冲层的第一外延层，其中，所述第一外延层的特征是具有与所述衬底热膨胀系数实质上相同的外延热膨胀系数； 生长耦合至所述第一外延层的未掺杂氮化镓GaN层；以及 生长耦合至所述未掺杂氮化镓GaN层的阻挡层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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