中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010942616.6，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件及其形成方法是由张田田;荆学珍设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上具有介质层；刻蚀介质层，形成第一通孔和第二通孔，第一通孔的底部暴露出基底上的一个源漏插塞层的顶部表面，第二通孔的底部暴露出基底上的一个栅极结构的顶部表面；在暴露出的源漏插塞层和栅极结构的顶部表面界面层；利用在所述源漏插塞层和所述栅极结构的顶部表面形成界面层，保证在所述源漏插塞层和所述栅极结构上形成的互联层的速率一致，提高形成的互联层的质量；同时提高最终形成的源漏插塞层的质量。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底； 源漏掺杂层；位于所述基底内； 源漏插塞层，位于所述源漏掺杂层上； 栅极结构，位于所述基底内； 介质层，位于所述基底上，且覆盖所述栅极结构和所述源漏插塞层； 第一通孔，位于所述介质层内，且底部暴露出一个所述源漏插塞层的顶部表面； 第二通孔，位于所述介质层内，且底部暴露出一个所述栅极结构的顶部表面； 阻挡层，分别位于所述第一通孔和所述第二通孔的底部； 反应层，位于所述阻挡层上，所述反应层与所述阻挡层之间相互反应，所述阻挡层被消耗掉，形成界面层，所述界面层位于所述第一通孔暴露出的所述源漏插塞层的顶部表面和所述第二通孔暴露出的所述栅极结构的顶部表面； 互联层，位于所述界面层的顶部表面，且填充满所述第一通孔和所述第二通孔。
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