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龙图腾网获悉晶澳太阳能有限公司申请的专利一种硅基太阳能电池选择性发射极掺杂效果检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111356197.9，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种硅基太阳能电池选择性发射极掺杂效果检测方法是由孙晓凯;陈素素;张建军设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基太阳能电池选择性发射极掺杂效果检测方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硅基太阳能电池选择性发射极掺杂效果检测方法，包括：对衬底硅片的正面全部区域进行扩散掺杂形成轻掺杂区域；在所述衬底硅片正面局部区域进行激光掺杂形成重掺杂区域；采用具有2个以上探头的方阻测试仪对所述轻掺杂区域和所述重掺杂区域进行第一次方块电阻检测；所述重掺杂区域的面积不小于所述硅片衬底表面积的1％。于衬底硅片正面形成局部设置的重掺杂区域，同时完成对同一衬底硅片内轻重掺杂区域的第一次方块电阻测试，实现方块电阻准确快速监测，减少测试次数及测试数量，能够有效检测选择性发射极的掺杂效果。

本发明授权一种硅基太阳能电池选择性发射极掺杂效果检测方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基太阳能电池选择性发射极掺杂效果检测方法，其特征在于，包括： 对衬底硅片的正面全部区域进行扩散掺杂形成轻掺杂区域； 在所述衬底硅片正面局部区域进行激光掺杂形成重掺杂区域； 在所述轻掺杂区域内选取测试点，采用具有2个以上探头的方阻测试仪对所述轻掺杂区域和所述重掺杂区域进行第一次方块电阻检测； 所述重掺杂区域的面积不小于所述硅片衬底表面积的1％，所述重掺杂区域呈至少两个间隔分布的区域，且重掺杂区域的边长设计为衬底硅片尺寸边长的12％～20％； 将衬底硅片经高温氧化形成正面氧化保护层，并对同位置轻重掺杂区域进行第二次方块电阻测试； 将经氧化后的衬底硅片经背面、碱抛清洗后，并对同位置轻重掺杂区域进行第三次方块电阻测试； 其中，在所述衬底硅片正面局部区域进行激光掺杂形成重掺杂区域包括： 选取预先设计的激光掺杂图形版图； 在选取的激光掺杂图形版图的基础上，于衬底硅片正面进行激光照射以使衬底硅片正面变成熔融态，掺杂原子进入熔融硅中以形成重掺杂区； 选取激光的光斑为矩形光斑，该矩形光斑的宽度在90μm至120μm之间、高度在90μm至120μm之间，所述矩形光斑间呈相切状态线性排布； 设定所述激光的激光打斑工艺参数，激光功率控制在65％～85％之间，频率控制在300～400kHz之间。

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