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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110065292.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由李凤莲;李哲;邹艳龙;王瀚瑶设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅氧层、以及位于所述栅氧层上的栅介质层，所述栅介质层与所述栅氧层之间具有第一界面，在所述第一界面处掺入改性离子，所述改性离子与所述栅介质层或所述栅氧层内的离子键合，在所述第一界面处形成第一化合键，所述第一化合键的键结合能力强于掺入改性离子前，在所述第一界面处缺陷离子和所述栅介质层或所述栅氧层内的离子形成的第一化合键，所述第一化合键不容易被打破，减少界面陷阱电荷的概率，从而降低界面态密度，减少器件的阈值电压和饱和漏极电流发生漂移的现象，改善负偏压温度不稳定性。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成栅氧层、以及位于所述栅氧层上的栅介质层，所述栅介质层与所述栅氧层之间具有第一界面； 在所述栅介质层上形成覆盖层； 在形成所述覆盖层之后，在所述第一界面处掺入改性离子，所述改性离子与所述栅介质层或所述栅氧层内的离子键合，在所述第一界面处形成第一化合键，所述第一化合键的键结合能力强于掺入改性离子前，在所述第一界面处缺陷离子和所述栅介质层或所述栅氧层内的离子形成的化合键，所述在所述第一界面处掺入改性离子的方法包括： 方法1，在所述栅介质层上形成第一牺牲层；对所述第一牺牲层进行等离子处理，使所述改性离子注入到所述第一界面；对所述第一牺牲层进行等离子处理后，对所述栅介质层和所述栅氧层进行第一退火处理；所述第一退火处理后，去除所述第一牺牲层；或者方法2，在所述栅氧层表面形成含所述改性离子的第二牺牲层；形成所述第二牺牲层后，对所述第二牺牲层、所述栅氧层和所述栅介质层进行第二退火处理；所述第二退火处理后，去除所述第二牺牲层； 在方法1中，在所述第一界面处掺入改性离子后，还对所述覆盖层进行改性处理； 在方法2中，在所述第一界面处掺入改性离子前，还对所述覆盖层进行改性处理； 其中，所述改性处理的方法包括：在所述覆盖层上形成改性材料层；形成所述改性材料层后，对所述改性材料层与所述覆盖层进行第三退火处理，使所述改性材料层与所述覆盖层反应形成阻挡层；形成所述阻挡层后，去除未反应的改性材料层。

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