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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210448155.6，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法是由邵长海设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种新型触发式的可控硅结构及其制作方法，其中，可控硅结构包括主体结构、电极结构和隔离结构。主体结构包括依次叠加的第一发射极、第一基区、第二基区、第二发射极。电极结构包括位于主体结构两侧的第一电极和第二电极；第一电极与第二电极配合驱动主体结构导通。隔离结构包括门极构件和位于主体结构至少一侧，并与第一发射极和第二基区接触的第三基区。第三基区与第二基区中掺杂元素特性相同；门极构件与第三基区接触设置，门极构件向第三基区中注入电流以触发主体结构导通。上述可控硅结构具有发射极接触面积增大、通态压降降低的作用，适用于晶闸管。

本发明授权一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种新型触发方式的可控硅结构，其特征在于，包括： 主体结构，包括沿第一方向依次叠加设置的第一发射层、第一基区、第二基区、第二发射层；其中，所述第一发射层包括第一发射极，所述第二发射层包括第二发射极； 电极结构，包括在第一方向上位于主体结构两侧的第一电极和第二电极；所述第一电极被配置为与所述第二电极配合，以驱动所述主体结构导通； 隔离结构，包括第三基区和门极构件；所述第三基区覆盖主体结构的至少一侧，所述第三基区在第一方向上与所述第一发射极接触设置，且在第二方向上与所述第二基区接触设置，所述第三基区与所述第二基区中掺杂元素特性相同；所述门极构件与所述第三基区接触设置，所述门极构件被配置为向所述第三基区中注入电流，以触发主体结构导通；其中， 所述第一发射极分别与所述第一电极和所述第一基区接触，所述第二发射极分别与第二电极和第二基区接触；第一方向与第二方向交叉设置； 所述第一发射极、所述第一基区、所述第二基区和所述第二发射极依次为P发射极、N基区、P基区和N发射极；或者，所述第一发射极、所述第一基区、所述第二基区和所述第二发射极依次为N发射极、P基区、N基区和P发射极。

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