厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司洪灿皇获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司申请的专利一种发光二极管及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114899285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210408456.6,技术领域涉及:H10H20/81;该发明授权一种发光二极管及其制造方法是由洪灿皇;粱兴华;张乾设计研发完成,并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制造方法在说明书摘要公布了:公开了一种发光二极管及其制造方法,发光二极管包括:第二衬底;键合层,位于所述第二衬底上;第二半导体层,位于所述键合层上;量子阱层,位于所述第二半导体层上;以及第一半导体层,位于所述量子阱层上。本发明的所述发光二极管的键合层采用掺杂的氧化层,所述键合层中的掺杂元素在高温过程中对键合层中聚集的水分进行吸收,以防止外延层脱落。
本发明授权一种发光二极管及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,其特征在于,包括: 第二衬底; 键合层,位于所述第二衬底上; 第二半导体层,位于所述键合层上; 量子阱层,位于所述第二半导体层上;以及 第一半导体层,位于所述量子阱层上; 其中,所述键合层为SiO2层、Al2O3层、SiNx层、MgF2层中的一种或几种,所述键合层的掺杂元素为硅、铜、钙、钡中的至少一种;所述键合层的掺杂元素的单质或氧化物具有与水反应并消耗水的化学特性。
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