中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司姜喆求获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110245765.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由姜喆求;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一硬掩模和第二硬掩模，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域包括第一图形化结构；在第二区域上形成光刻胶图案，以光刻胶图案为掩模对第二区域进行刻蚀，以在第二区域形成第二图形化结构；在第二图形化结构上形成氧化隔离层；去除第二硬掩模；通过增加掩模的方式，在形成第二图形化结构时，尽管消耗第二图形化结构上方的第二硬掩模，可去除第一图形化结构上的第二硬掩模，使第一图形化结构上的第一硬掩模的高度与第二图形化结构上的第一硬掩模的高度相等，以改善图形化侵蚀缺陷，以便于后续工艺的进行。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成第一硬掩模和第二硬掩模，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括第一图形化结构； 在所述第二区域上形成光刻胶图案，以所述光刻胶图案为掩模对所述第二区域进行刻蚀，以在所述第二区域形成第二图形化结构； 在所述第二图形化结构上形成氧化隔离层； 去除所述第二硬掩模，得到所述第一图形化结构上的第一硬掩模的高度与所述第二图形化结构上的第一硬掩模的高度相等。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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