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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110245856.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：所述第一栅极在沿所述第一方向上的尺寸大于所述第二栅极在沿所述第一方向上的尺寸；在所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一源漏层；在所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二源漏层，所述第一源漏层在沿垂直于所述衬底表面方向上的深度大于所述第二源漏层在沿垂直于所述衬底表面方向上的深度，有利于为第一区上的器件的沟道提供更大的应力，同时，不会影响第一区器件的短沟道效应，也不会加重所述第二区器件的短沟道效应，进而整体上提高器件的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底，所述基底包括第一区和第二区； 位于所述第一区上具有若干第一鳍部，所述第一鳍部包括位于所述第一区上的若干第一沟道层以及位于相邻所述第一沟道层之间的第二沟槽； 位于所述第二区上具有若干第二鳍部，所述第二鳍部包括位于所述第二区上的若干第二沟道层以及位于相邻所述第二沟道层之间的第四沟槽，所述第一鳍部和所述第二鳍部均沿第一方向延伸； 横跨所述第一鳍部表面的若干第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极，所述第一栅极结构位于所述第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述第一栅极还位于所述第二沟槽内； 横跨所述第二鳍部表面的若干第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅极，所述第二栅极结构位于所述第二鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述第二栅极还位于所述第四沟槽内，所述第一栅极在沿所述第一方向上的尺寸大于所述第二栅极在沿所述第一方向上的尺寸； 位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内的第一源漏层； 位于所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内的第二源漏层，所述第一源漏层在沿垂直于所述衬底表面方向上的深度大于所述第二源漏层在沿垂直于所述衬底表面方向上的深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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