索尼半导体解决方案公司高塚挙文获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利光接收元件、光学装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115023946B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180011232.5，技术领域涉及：H04N25/78；该发明授权光接收元件、光学装置和电子设备是由高塚挙文;比津和树设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本光接收元件、光学装置和电子设备在说明书摘要公布了：提出了一种能够在降低读出电路的输入电压的同时减少功耗和或死区时间的光接收元件。提供了一种光接收元件200，其包括：光子响应倍增单元210，其包括能够倍增响应于光子的入射而产生的电荷的电荷倍增区域；第一电阻单元211，其在一端处连接至所述光子响应倍增单元的一端，具有比所述光子响应倍增单元的电阻值大的电阻值；第二电阻单元212，其在一端处连接至所述第一电阻单元的另一端；和读出单元230，其连接至所述第一电阻单元的所述另一端并且经由所述第一电阻单元从所述光子响应倍增单元读出输出。
本发明授权光接收元件、光学装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光接收元件，包括： 光子响应倍增部，其包括能够倍增响应于光子的入射而产生的电荷的电荷倍增区域； 第一电阻部，其在一端处连接至所述光子响应倍增部的一端，并且具有比所述光子响应倍增部的电阻值大的电阻值； 第二电阻部，其在一端处连接至所述第一电阻部的另一端； 连接点，所述第一电阻部的所述另一端、所述第二电阻部的所述一端和从所述光子响应倍增部读出输出的读出单元连接至所述连接点； 第一电容，其位于所述光子响应倍增部的所述一端处；和 第二电容，其位于所述第一电阻部的所述另一端处， 其中，所述第二电阻部具有比所述第一电阻部的电阻值大的电阻值， 所述第二电容的电容值大于所述第一电容的电容值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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