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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210522431.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件是由成建兵;刘立强;周嘉诚;张效俊;李瑛楠设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属电极、P+集电区、N缓冲层和N漂移区。在N漂移区的表面，分为MOS区和空穴路径区；MOS区包括左右依次设置的栅极、P阱；其空穴路径区，包括左右依次设置的第一浮空P区、第一虚栅、间隔P型区、第二虚栅、第二浮空P区；一个N型电荷层即ND+层设置于第二浮空P区的下方。所述的ND+层和N漂移区形成ND+ND高低结，在器件开启阶段可阻挡空穴在栅氧附近积累，降低了负电容对栅极地充电，抑制了器件的EMI噪声。

本发明授权一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属电极101、P+集电区102、N缓冲层103和N漂移区104；在N漂移区104的表面，分为MOS区域和空穴路径区域； 所述的MOS区域，包括左至右依次设置的栅极118、P阱113；P阱113中的表面是两个紧邻的N+发射区115和欧姆接触的P+层114，一个N+发射区115位于欧姆接触的P+层114的左侧； 所述的空穴路径区域，包括左至右依次设置的第一浮空P区105、第一虚栅106、间隔P型区108、第二虚栅109、第二浮空P区111；一个设置于第二浮空P区111的下方且与第二浮空P区111紧邻的N型电荷层即ND+层112，紧邻位于栅氧119的左侧； 所述的ND+层112和第二浮空P区111形成PND+的PN结，在器件开启阶段可阻止N漂移区104中的空穴沿栅氧119进入第二浮空P区111； 所述的ND+层112的掺杂浓度大于N漂移区104的掺杂浓度；所述的ND+层112的掺杂浓度小于器件制造工艺的最大值； 所述的第一虚栅106和第二虚栅109和发射极直接连接在一起，第一虚栅106和第二虚栅109周围分别覆盖着第一虚栅的氧化层107、第二虚栅的氧化层110； 所述的第二浮空P区111、第二虚栅109、第二虚栅的氧化层110、N漂移区104以及间隔P型区108构成空穴路径，能够在器件开启过程中使浮空P区处的空穴导出； 所述的栅极118周围覆盖有栅氧119。

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