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龙图腾网获悉成都英思嘉半导体技术有限公司申请的专利光学耦合结构、光发射次模块及光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111087848.9，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权光学耦合结构、光发射次模块及光模块是由王洁;鞠兵设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学耦合结构、光发射次模块及光模块在说明书摘要公布了：本发明涉及光纤通信中的光模块技术领域，特别是一种光学耦合结构、光发射次模块及光模块。光学耦合结构，包括依次设置的激光器、透镜组和插芯；所述激光器出射光束，所述光束入射至所述透镜组，从所述透镜组射出后形成会聚光，所述会聚光入射至所述插芯；所述透镜组在远离所述激光器的一侧具有虚拟的会聚光焦点；所述插芯具有端面；所述会聚光焦点位于所述插芯的端面远离所述透镜组的一侧；所述透镜组包括至少一个硅透镜；所述硅透镜为会聚透镜。利用硅透镜在温度升高时，具有较大的热光效应，折射率增加，会聚光的焦点向靠近插芯端面的方向移动，耦合光功率增高，能够有效平衡激光器因温度升高导致的光功率变小。

本发明授权光学耦合结构、光发射次模块及光模块在权利要求书中公布了：1.一种光学耦合结构，包括依次设置的激光器1、透镜组和插芯3；其特征在于，所述激光器1出射光束，所述光束入射至所述透镜组，从所述透镜组射出后形成会聚光，所述会聚光入射至所述插芯3； 所述透镜组在远离所述激光器1的一侧具有虚拟的会聚光焦点21；所述插芯3具有端面31； 所述会聚光焦点21位于所述插芯3的端面31远离所述透镜组的一侧； 所述透镜组包括至少一个硅透镜2，所述硅透镜2为会聚透镜； 还包括辅助器件，所述辅助器件包括反射镜、监控二极管、隔离器、分波器中的一种或几种； 还包括基板5，所述基板5具有相对的第一表面和第二表面；所述激光器1连接于所述基板5的第一表面，其中一个硅透镜2连接于所述基板5的第二表面； 当温度升高时，所述激光器1的出光功率变小，所述硅透镜2具有热光效应，透镜的折射率随着温度升高而增加，使所述会聚光焦点21向着插芯3端面31移动，使得耦合光功率变大，给所述激光器1出光效率变小做补偿。

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