福建兆元光电有限公司马昆旺获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211456057.3，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种发光二极管及其制备方法是由马昆旺;吴永胜;刘恒山设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光二极管及其制备方法，提供一衬底，在衬底上依次生长缓冲层、U‑GaN层和第一N‑GaN层；在第一N‑GaN层上生长二氧化硅保护层或氮化硅保护层；在二氧化硅保护层或氮化硅保护层上依次生长第二N‑GaN层、多量子阱层、P型AlyGa1‑yN电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层，形成外延结构；在外延结构上形成“凹”字型电极，得到发光二极管；该发光二极管电极设于“凹”字型外延结构具有凹凸面的一侧；“凹”字型外延结构包括衬底以及二氧化硅保护层或氮化硅保护层，二氧化硅保护层或氮化硅保护层设于衬底的一侧，能够平衡电荷分布，减少芯片结构局部位置电荷的集中，可提供空穴的有效驱动，从而提高空穴注入，并提升量子效率。
本发明授权一种发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、U-GaN层和第一N-GaN层； 在所述第一N-GaN层上生长二氧化硅保护层或氮化硅保护层； 在所述二氧化硅保护层或氮化硅保护层上依次生长第二N-GaN层、多量子阱层、P型AlyGa1-yN电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层，形成外延结构； 在所述外延结构上形成“凹”字型电极，得到发光二极管； 所述在所述第一N-GaN层上生长二氧化硅保护层或氮化硅保护层包括： 按照100~500Torr的压力以及800~1100℃的生长温度在所述第一N-GaN层上生长20~150nm的二氧化硅保护层或氮化硅保护层。
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