天津津航技术物理研究所姜洪妍获国家专利权
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龙图腾网获悉天津津航技术物理研究所申请的专利光谱成像芯片结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115993177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111207399.7,技术领域涉及:G01J3/02;该发明授权光谱成像芯片结构是由姜洪妍;刘舒扬;王天鹤;张晨;赵安娜;张云昊;周志远;潘建旋;王才喜设计研发完成,并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本光谱成像芯片结构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种光谱成像芯片结构,该光谱成像芯片结构包括像素感光单元、窄带滤光膜、截止滤波膜和第一匹配层,像素感光单元用于实现图像采集和数据读出,第一匹配层一体式沉积生长在像素感光单元上,窄带滤光膜一体式沉积生长在第一匹配层上,窄带滤光膜用于实现在所需波段中心波长的可调谐,第一匹配层用于过渡窄带滤光膜和像素感光单元之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中芯片结构的中心波长透过率低、量子效率低的技术问题。
本发明授权光谱成像芯片结构在权利要求书中公布了:1.一种光谱成像芯片结构,其特征在于,所述光谱成像芯片结构包括: 像素感光单元10,所述像素感光单元10用于实现图像采集和数据读出; 第一匹配层50,所述匹配层50一体式沉积生长在所述像素感光单元10上; 窄带滤光膜20,所述窄带滤光膜20一体式沉积生长在所述第一匹配层50上,所述窄带滤光膜20用于实现在所需波段中心波长的可调谐,所述第一匹配层50用于过渡所述窄带滤光膜20和所述像素感光单元10之间的光学导纳以提高中心波长峰值透过率,所述光谱成像芯片结构的膜系结构为Sub|Q1HL^S1H2nLHLH^S2|Air,其中,Q1为所述第一匹配层50的膜系结构,HL^S1H2nLHLH^S2为所述窄带滤光膜20的膜系结构,n为所述窄带滤光膜20的膜层厚度调整系数,H为高折射率材料,L为低折射率材料,S1和S2均为叠加次数;所述光谱成像芯片结构的半波宽可根据来获取,其中,λ为中心波长,x表示2nL间隔层之前的多层膜,包括间隔层里的高折射率层的数量,m表示干涉级次,nH为高折射率材料的折射率,nL为低折射率材料的折射率,ns为基底折射率,S1和S2相等,在所述第一匹配层50的膜系结构中,Q1包括L或HL。
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