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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116399946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310201387.6，技术领域涉及：G01N29/04；该发明授权一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法是由郭红霞;胡嘉文;马武英;钟向丽;欧阳晓平;李波;白如雪;刘益维设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法在说明书摘要公布了：本发明提出的一种SiGeHBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数；在第二预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数，第二预设温度低于第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和第一预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第三1f噪声参数；在预设辐照条件和第二预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第四1f噪声参数；根据第一1f噪声参数、第二1f噪声参数、第三1f噪声参数及第四1f噪声参数，确定低温条件下待测SiGeHBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。

本发明授权一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种SiGeHBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，其特征在于，包括： 在第一预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数； 在第二预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数，所述第二预设温度低于所述第一预设温度且低于常温；所述第一预设温度为300K；所述第二预设温度为93K; 在预设辐照条件和所述第一预设温度下，利用1f噪声对所述待测SiGeHBT进行检测，获得第三1f噪声参数； 在预设辐照条件和所述第二预设温度下，利用1f噪声对所述待测SiGeHBT进行检测，获得第四1f噪声参数； 根据所述第一1f噪声参数、第二1f噪声参数、第三1f噪声参数及第四1f噪声参数，确定低温条件下所述待测SiGeHBT中总剂量效应感生缺陷分布变化,所述低温条件为93K-300K; 所述确定低温条件下所述待测SiGeHBT中总剂量效应感生缺陷分布变化，包括： 根据所述第一1f噪声参数、第二1f噪声参数、第三1f噪声参数及第四1f噪声参数，分别确定对应的所述待测SiGeHBT中氧化物陷阱电荷的浓度和界面态的位置； 基于所述氧化物陷阱电荷的浓度和所述界面态的位置，确定低温条件下所述待测SiGeHBT的总剂量效应感生缺陷分布变化。

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