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龙图腾网获悉浙江理工大学桐乡研究院有限公司申请的专利一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119078247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411200417.2，技术领域涉及：B29D7/01；该发明授权一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法是由邱方燚;万军民;何海洋;沈青青;邬松设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器领域，公开了一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法。本发明在PVDF‑TrFE分子链中引入少量丙烯链段以提升其柔韧性，同时添加纳米材料ZnO和rGO用以大幅提高其极化后的压电性能；并且，ZnO的引入不仅能改善压电薄膜的耐光热性，还能减少rGO的显色，使其透明性能更佳。

本发明授权一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含ZnO和rGO的多层透明压电薄膜传感器的制备方法，其特征在于包括： 步骤1：将引发剂和水加入反应器中，冷却下真空脱气；按摩尔比70-80：15-20:3-7将气态的偏氟乙烯、三氟乙烯和丙烯通入反应器中，气体遇冷液化后共聚反应；反应后冷却，分离，洗涤，干燥，得到三元共聚物PVDF-TrFE-P； 步骤2：将PVDF-TrFE-P溶于N，N-二甲基甲酰胺中，超声搅拌，得到PVDF-TrFE-P溶液； 步骤3：将PVDF-TrFE-P、ZnO粉末、rGO粉末按质量比9.8-10.2:1:1.8-2.2溶于N，N-二甲基甲酰胺，超声处理，然后将所得分散液超声搅拌，最后得到ZnOrGOPVDF-TrFE-P分散液； 步骤4：将ZnOrGOPVDF-TrFE-P分散液流延在基板上，形成薄膜，真空干燥，得到ZnOrGOPVDF-TrFE-P单层薄膜； 步骤5：将PVDF-TrFE-P溶液流延在所得单层薄膜上，形成双层薄膜，真空干燥，得到双层薄膜； 步骤6：将ZnOrGOPVDF-TrFE-P分散液流延在所得双层薄膜上，形成三层薄膜，真空干燥，得到多层薄膜； 步骤7：对多层薄膜退火处理； 步骤8：对多层薄膜极化处理，保持极化场强并冷却至室温。

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