上海新微半导体有限公司郭德霄获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411201227.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由郭德霄设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括步骤：提供一器件层；形成介质层于器件层上方；形成场板于介质层上方，场板包括第一场板层及第二场板层，第一场板层包括硅层和连接于其外围的氧化硅层且氧化硅层上表面的至少一部分沿着背离硅层的斜向延伸的氧化硅层，第二场板层包括第一金属和连接于其外围的第二金属，且第二金属的延伸方向与氧化硅层上表面的延伸方向一致。该制作方法通过形成包括第一场板与第二场板层的叠层场板且第二场板层包括斜向延伸的第二金属而呈类倾斜场板结构，利用场板实现高电场调制能力的同时保持高介质击穿电压，兼具高工作性能与高可靠性，整体工艺步骤与现有工艺兼容。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一器件层，所述器件层包括栅极结构； 形成介质层于所述器件层上方； 形成场板于所述介质层上方，所述场板包括第一场板层及第二场板层，所述第一场板层位于所述介质层与所述第二场板层之间，其中，所述第一场板层包括硅层和氧化硅层，所述氧化硅层连接于所述硅层的外围且所述氧化硅层上表面的至少一部分沿着背离所述硅层的斜向延伸，所述第二场板层包括第一金属与第二金属，所述第二金属连接于所述第一金属的外围且所述第二金属的延伸方向与所述氧化硅层上表面的延伸方向一致；其中，所述外围指的是沿着所述硅层的延伸方向远离所述栅极结构的一侧，所述斜向延伸为斜向上延伸，且在所述硅层指向所述氧化硅层的方向上，所述氧化硅层的厚度递增或先递增后不变，所述氧化硅层通过对所述硅层的硅基础层的边缘进行氧化形成，所述第二金属跟随所述氧化硅层斜向延伸。
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