华中科技大学朱锦涛获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器及印刷制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300674B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411293950.8，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器及印刷制备方法是由朱锦涛;邓仁华;毛曦设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器及印刷制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于纳米电子器件及纳米加工技术领域，具体地涉及一种基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器及印刷制备方法。先印刷核壳纳米粒子薄膜、在单层膜上化学气相沉积硅烷偶联剂修饰层、印刷聚合物中间层以及取向有源层。本发明所用的印刷制备技术具有原料利用率高、可控性好和可重复性强等优点。所制得的核壳纳米粒子薄膜粗糙度低、粒子数密度高，可作为纳米晶浮栅隧穿介电复合层；所制备的有机半导体晶体结晶度高、取向明显、晶界密度低，可作为有源层，由上述功能层构成的纳米晶浮栅存储器表现出优异的电学性能。
本发明授权一种基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器及印刷制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器的印刷制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子分散至有机溶剂中，得到二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子墨水； 2在基底上印刷步骤1中得到的纳米粒子墨水，待溶剂干燥后，二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子在基底上形成薄膜，该薄膜作为纳米晶浮栅和隧穿介电复合层； 3在步骤2得到的薄膜上沉积硅烷偶联剂修饰层； 4将聚合物与有机半导体溶解于有机溶剂中，所述聚合物为聚乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种，得到聚合物与有机半导体的混合墨水；在硅烷偶联剂修饰后的薄膜上印刷该混合墨水，待溶剂干燥后，由于所述聚合物与有机半导体之间的垂直相分离行为，制备得到了由下至上的聚合物中间层与有机半导体有源层； 5在所述有机半导体有源层上蒸镀源漏电极，即得到基于二氧化硅包覆的金属核壳纳米粒子薄膜的纳米晶浮栅存储器。
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