中国科学院微电子研究所李前辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利铁电型3D NAND闪存器件及其操作方法、制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411365299.0，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权铁电型3D NAND闪存器件及其操作方法、制作方法是由李前辉;张保;侯婧文;徐楚恒;王薇雅;龚新;王颀;霍宗亮;叶甜春设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电型3D NAND闪存器件及其操作方法、制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种铁电型3DNAND闪存器件及其操作方法、制作方法，该3DNAND闪存器件包括：衬底及位于其表面的堆叠结构，堆叠结构包括多个交错排布的栅介质氧化物层和栅电极层；贯穿堆叠结构的沟道孔；位于沟道孔侧壁的第一隔离层；覆盖第一隔离层和沟道孔底部的沟道层；位于沟道层表面的铁电层；位于铁电层表面的背栅层；填充沟道孔剩余空间的填充层；覆盖沟道孔和堆叠结构的绝缘层，绝缘层具有第一通孔和第二通孔，第一通孔曝露沟道层至少部分表面，第二通孔曝露背栅层至少部分表面；通过第一通孔与沟道层电连接的漏极以及通过第二通孔与背栅层电连接的背栅极。该3DNAND闪存器件利用铁电层作为电荷存储层，操作速度较快。
本发明授权铁电型3D NAND闪存器件及其操作方法、制作方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电型3DNAND闪存器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底第一表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括多个沿垂直于所述衬底所在平面方向交错排布的栅介质氧化物层和栅电极层； 贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔延伸至所述衬底的第一表面内； 位于所述沟道孔侧壁的第一隔离层； 覆盖所述第一隔离层和所述沟道孔底部的沟道层； 位于所述沟道层表面的铁电层； 位于所述铁电层表面的背栅层； 填充所述沟道孔剩余空间的填充层； 覆盖所述沟道孔和所述堆叠结构的绝缘层，所述绝缘层具有第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔曝露所述沟道层至少部分表面，所述第二通孔曝露所述背栅层至少部分表面； 通过所述第一通孔与所述沟道层电连接的漏极以及通过所述第二通孔与所述背栅层电连接的背栅极。
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