芯联集成电路制造股份有限公司苑羽中获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790939.2，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由苑羽中;戴银;余龙设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，衬底具有第一表面和第二表面，衬底包括IGBT区和二极管区，衬底内形成有第一导电类型的漂移区；在二极管区形成第二导电类型的二极管阳极；在第一表面形成覆盖二极管阳极的氧化物层；在IGBT区形成载流子注入阻挡层；在IGBT区形成有源栅；在载流子注入阻挡层上形成第二导电类型的体区；在IGBT区形成第一导电类型的发射区。本申请通过在二极管阳极上形成氧化物层且不形成载流子注入阻挡层，在形成接触孔时，将氧化物层去除，以使金属层与二极管阳极之间没有载流子注入阻挡层，加快反向恢复时的空穴抽取速度，减小反向恢复损耗，还节省掩膜的数量，降低生产成本。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括IGBT区和二极管区，所述二极管区位于所述IGBT区的第一侧，在所述衬底内形成有第一导电类型的漂移区； 在所述二极管区形成自所述第一表面向所述漂移区内延伸的第二导电类型的二极管阳极； 在所述第一表面形成至少覆盖所述二极管阳极的氧化物层； 在所述IGBT区内的所述漂移区靠近所述第一表面的一侧形成载流子注入阻挡层； 在所述IGBT区形成自所述第一表面向所述漂移区内延伸且远离所述第二表面的有源栅； 在所述载流子注入阻挡层靠近所述第一表面的一侧形成第二导电类型的体区，使得至少部分所述体区位于所述载流子注入阻挡层上，其中，所述体区还位于所述有源栅的两侧； 在所述IGBT区形成自所述第一表面向所述体区内延伸的第一导电类型的发射区，所述发射区位于所述有源栅的两侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励