华中科技大学;湖北光谷实验室高亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北光谷实验室申请的专利氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119768009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411775663.0，技术领域涉及：H10K71/30；该发明授权氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法是由高亮;肖璐娜;唐江;陈龙;刘婧;张建兵设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法，该氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法包括：制备碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜；将氟化锑溶解在乙腈中，得到氟化锑乙腈溶液；将碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜浸泡在氟化锑乙腈溶液；利用乙腈洗涤碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜预设次数，得到氟化锑化学反应掺杂钝化的硫化铅量子点有源层。本申请能够提高含有源层的半导体器件的整体性能。
本发明授权氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法，其特征在于，所述氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法包括： 制备碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜； 将氟化锑溶解在乙腈中，得到氟化锑乙腈溶液； 将碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜浸泡在所述氟化锑乙腈溶液； 利用乙腈洗涤碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜预设次数，得到氟化锑化学反应掺杂钝化的硫化铅量子点有源层。
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