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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种AMR传感器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119768034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411967218.4，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种AMR传感器的制作方法是由吴汇印;文熙哲;张会;汪涛;郑雪丽设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AMR传感器的制作方法在说明书摘要公布了：一种AMR传感器的制作方法，包括：1在硅片表面旋涂光刻胶；2对涂胶的硅片进行第一次光刻，得到刻有磁阻条和屏蔽条图形的硅片；3对刻有磁阻条和屏蔽条图形的硅片进行磁控溅射，并对磁控溅射后的硅片进行去胶，获得具有磁控溅射磁阻层的硅片；4对具有磁控溅射磁阻层的硅片进行退火处理，并在退火后的硅片上旋涂光刻胶，得到二次涂胶的硅片；5对二次涂胶的硅片进行第二次光刻，得到刻有外接电极图形的硅片；6对刻有外接电极图形的硅片进行热蒸发镀膜，并对热蒸发镀膜后的硅片进行去胶，得到具有AMR电极层的硅片；7对具有AMR电极层的硅片进行封装，得到AMR传感器。本发明简化了传统AMR传感器制作流程。本发明减小了AMR传感器的尺寸。

本发明授权一种AMR传感器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种AMR传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在硅片表面旋涂光刻胶； 2对涂胶的硅片进行第一次光刻，得到刻有磁阻条和屏蔽条图形的硅片，步骤包括： 2.1设计磁阻条和屏蔽条的光刻图形； 2.2对硅片上设有光刻图形以外的地方进行曝光； 2.3对曝光后的硅片进行显影； 所述显影采用的材料包括甲基异丁基酮和异丙醇； 所述刻有磁阻条和屏蔽条图形的硅片上刻的图案包括四组磁阻条、位置标记图案、两个方向标记图案和四条屏蔽条； 所述位置标记图案位于硅片中心，且位置标记图案的对称角上分别设有两个方向标记图案； 第一组和第三组磁阻条横向排布，第二组和第四组磁阻条纵向排布，均匀分布在位置标记图案四周； 四组磁阻条中心对称分布，且每组磁阻条的最外侧为屏蔽条； 3对刻有磁阻条和屏蔽条图形的硅片进行磁控溅射，并对磁控溅射后的硅片进行去胶，获得具有磁控溅射磁阻层的硅片，步骤包括： 3.1将操作设备的操作室抽真空； 3.2对操作设备的操作室通入氩气； 3.3开启Ta靶材射频电源进行预溅射； 3.4打开样品挡板，对刻有磁阻条和屏蔽条图形的硅片进行溅射，得到具有种子层的硅片； 3.5关闭Ta靶材射频电源和样品挡板，开启坡莫合金靶材的射频电源进行预溅射； 3.6打开样品挡板，对具有种子层的硅片进行溅射，得到具有Ni80Fe20层的硅片； 3.7关闭坡莫合金靶材的射频电源和样品挡板，开启Ta靶材射频电源进行预溅射； 3.8打开样品挡板，对具有Ni80Fe20层的硅片进行溅射，得到磁控溅射后的硅片； 3.9对磁控溅射后的硅片进行去胶，得到具有磁控溅射磁阻层的硅片； 4对具有磁控溅射磁阻层的硅片进行退火处理，并在退火后的硅片上旋涂光刻胶，得到二次涂胶的硅片； 5对二次涂胶的硅片进行第二次光刻，得到刻有外接电极图形的硅片，步骤包括： 5.1设计外接电极的光刻图形； 5.2对硅片上设有光刻图形以外的地方进行曝光； 5.3对曝光后的硅片进行显影； 对二次涂胶的硅片进行第二次光刻时，将二次涂胶的硅片与设计的光刻图形进行对准，使得外接电极只与对应的磁阻条连通； 6对刻有外接电极图形的硅片进行热蒸发镀膜，并对热蒸发镀膜后的硅片进行去胶，得到具有AMR电极层的硅片； 7对具有AMR电极层的硅片进行封装，得到AMR传感器。

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