华中科技大学曾祥斌获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411951916.5，技术领域涉及：H10N30/85；该发明授权一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法是由曾祥斌;文郅淇;彭煜;胡元太;杨万里;张文豪;甘卓成;仇乐琪设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子及压电电子学技术领域，涉及一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法，其包括基底、绝缘层、发射区、集电区及金属电极；所述基底为凸形结构，记所述基底中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层，所述发射区与所述集电区分别位于所述基底两端的绝缘层上；所述金属电极包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极；所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区、发射区以及基区上，且相互之间不接触，所述发射区、集电区的材料均为N型ZnO，所述基底为硅，达到提高其压电效应的稳定性和可调控性的技术效果。
本发明授权一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有压电效应的异质结双极型晶体管器件，其特征在于，其结构包括，基底3、绝缘层5、发射区4、集电区1以及金属电极2；所述基底3为凸形结构，所述基底3中间凸起部分为基区，两端未凸起部分为衬底；所述基底3的两端的衬底上均覆盖所述绝缘层5，所述发射区4与所述集电区1分别位于所述基底3两端的绝缘层5上；所述金属电极2包括第一金属电极、第二金属电极以及第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极分别设置在所述集电区1、发射区4以及基区上，且相互之间不接触；所述发射区4与所述集电区1的材料均为N型ZnO，所述基底3为P型硅；所述发射区4与所述集电区1的N型ZnO的侧面分别与所述基区的P型硅的侧面接触形成异质结。
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