得一微电子股份有限公司温典获国家专利权
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龙图腾网获悉得一微电子股份有限公司申请的专利闪存问题的定位方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119917330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411999102.9,技术领域涉及:G06F11/07;该发明授权闪存问题的定位方法、装置、设备及存储介质是由温典;叶敏;吴大畏设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存问题的定位方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了:本发明属于闪存问题定位技术领域,公开了一种闪存问题的定位方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:采集故障闪存的关键指标的阈值分布数据,其中,所述关键指标包括预设的闪存扩展功能参数;将所述关键指标的阈值分布数据输入异常阈值分布图数据库中,得到所述异常阈值分布图数据库中与所述关键指标对应的第一异常阈值分布图;确定所述第一异常阈值分布图中,与所述关键指标的阈值分布数据相似度最强的第二异常阈值分布图;将所述第二异常阈值分布图对应的问题确定为所述故障闪存的问题。本发明解决了相关技术中闪存问题的定位方案在定位闪存问题时,所存在的定位准确率低、效率低以及成本高的问题。
本发明授权闪存问题的定位方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种闪存问题的定位方法,其特征在于,包括: 采集故障闪存的关键指标的阈值分布数据,其中,所述关键指标包括预设的闪存扩展功能参数; 将所述关键指标的阈值分布数据输入异常阈值分布图数据库中,得到所述异常阈值分布图数据库中与所述关键指标对应的第一异常阈值分布图; 在所述将所述关键指标的阈值分布数据输入异常阈值分布图数据库中,得到所述异常阈值分布图数据库中与所述关键指标对应的第一异常阈值分布图之前,还包括: 收集闪存正常工作时关键指标的第三阈值分布数据,以及收集闪存发生的问题和闪存发生所述问题时所述关键指标的第四阈值分布数据; 根据所述第三阈值分布数据和所述第四阈值分布数据,生成所述问题的所述关键指标的异常阈值分布图; 关联所述问题和所述问题对应的关键指标的异常阈值分布图,生成关联关系; 将所述问题、所述问题对应的关键指标的异常阈值分布图以及所述关联关系存储至所述异常阈值分布图数据库中; 所述关联所述问题和所述问题对应的关键指标的异常阈值分布图,生成关联关系,包括: 基于所述关键指标之间的层级关系,对所述关键指标划分等级,其中,高等级的所述关键指标包括低等级的所述关键指标; 设置等级更高的关键指标具有更高的问题查找顺序; 基于所述问题、所述问题对应的所述关键指标的异常阈值分布图以及所述问题查找顺序,生成所述关联关系; 确定所述第一异常阈值分布图中,与所述关键指标的阈值分布数据相似度最强的第二异常阈值分布图; 将所述第二异常阈值分布图对应的问题确定为所述故障闪存的问题。
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