四川富乐华半导体科技有限公司朱锐获国家专利权
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龙图腾网获悉四川富乐华半导体科技有限公司申请的专利IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119794.1，技术领域涉及：H05K3/28；该发明授权IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品是由朱锐;曾磊;李文敬;吕永龙;杨世兵;胡琳;王小伟设计研发完成，并于2025-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品在说明书摘要公布了：本发明公开了IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品，涉及IGBT器件技术领域，可解决目前封装不够可靠，芯片整体的平整度和散热性能不够优异的问题。本发明实施例的IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板的制造方法，包括以下步骤：S1、在铜载板主体表面覆盖防腐蚀蓝膜；S2、打在防腐蚀蓝膜预设的安装蚀刻区和应力过渡蚀刻区内打出安装蚀刻膜孔阵和应力过渡蚀刻膜孔阵；应力过渡蚀刻区分布于安装蚀刻区的周侧；安装蚀刻膜孔阵的孔面积总和占比大于应力过渡蚀刻膜孔阵的孔面积总和占比；S3、进行化学蚀刻，形成位于安装蚀刻区下方的安装槽和位于应力过渡蚀刻区下方的应力过渡结构；应力过渡结构分布于安装槽的周侧。
本发明授权IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品在权利要求书中公布了：1.IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤： S1、获得表面覆盖有防腐蚀蓝膜1的铜载板主体3； S2、打膜孔：在防腐蚀蓝膜1预设的安装蚀刻区11和应力过渡蚀刻区12内打出安装蚀刻膜孔阵111和应力过渡蚀刻膜孔阵121； 应力过渡蚀刻区12分布于安装蚀刻区11的周侧； 安装蚀刻膜孔阵111的孔面积总和占比大于应力过渡蚀刻膜孔阵121的孔面积总和占比； S3、化学蚀刻：通过安装蚀刻膜孔阵111和应力过渡蚀刻膜孔阵121进行化学蚀刻，形成位于安装蚀刻区11下方的安装槽31和位于应力过渡蚀刻区12下方的应力过渡结构32； 应力过渡结构32分布于安装槽31的周侧。
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