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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311585504.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由霍本军;叶俊;肖璇;黄国民;谢嘉凤;李春阳;王帅设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；阱区，靠近漂移区的顶部设置，具有第二导电类型；第一沟槽栅；第二沟槽栅；多个有源区，具有第一导电类型，部分有源区在第一沟槽栅的侧面靠近第一沟槽栅设置，部分有源区在第二沟槽栅的侧面靠近第二沟槽栅设置；其中，第一栅介电层的厚度小于第二栅介电层的厚度，第一沟槽栅所位于的阱区和第二沟槽栅所位于的阱区的掺杂浓度相同。本发明以第一沟槽栅为栅极的器件会率先达到转移特性曲线的负温度系数区域，也就会更快达到热稳定状态，因此上述半导体器件整体也会更快达到热稳定状态，具有更大的安全工作区。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 漂移区，具有第一导电类型； 阱区，靠近所述漂移区的顶部设置，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型； 第一沟槽栅，包括位于第一沟槽的内表面的第一栅介电层，以及位于所述第一沟槽内、且四周和底部被所述第一栅介电层包围的第一栅极，所述第一沟槽栅的至少部分区域位于所述阱区中； 第二沟槽栅，包括位于第二沟槽的内表面的第二栅介电层，以及位于所述第二沟槽内、且四周和底部被所述第二栅介电层包围的第二栅极，所述第二沟槽栅的至少部分区域位于所述阱区中； 多个有源区，具有第一导电类型，部分所述有源区在所述第一沟槽栅的侧面靠近所述第一沟槽栅设置，部分所述有源区在所述第二沟槽栅的侧面靠近所述第二沟槽栅设置； 其中，所述第一栅介电层的厚度小于所述第二栅介电层的厚度，所述第一沟槽栅所位于的阱区和所述第二沟槽栅所位于的阱区的掺杂浓度相同；所述第一沟槽栅的底部与所述漂移区之间被部分所述阱区隔开。

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