四川富乐华半导体科技有限公司朱锐获国家专利权
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龙图腾网获悉四川富乐华半导体科技有限公司申请的专利一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119831.9，技术领域涉及：H05K3/02；该发明授权一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码及制作方法是由朱锐;陶秋杰;何德超;刘珊;田春;杨世兵;胡琳设计研发完成，并于2025-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码及制作方法，涉及二维码制作技术领域，可解决目前厚铜产品的二维码可读性不好的问题。本发明实施例的一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码制作方法，包括以下步骤：S1、获得上表面覆盖有防腐蚀蓝膜的厚铜载板；S2、打蚀刻结构，在防腐蚀蓝膜上打出若干内部具有蚀刻图形的读取单元格，若干读取单元格组成的矩阵构成二维码蚀刻区；读取单元格包括防腐蚀蓝膜消除的蚀刻图形和防腐蚀蓝膜保留的保护图形；S3、化学蚀刻，通过控制蚀刻因子和蚀刻速度，以及读取单元格内的蚀刻图形，在读取单元格下方的蚀刻出用于漫反射的粗糙底部的读取单元槽结构，若干读取单元槽结构组成的矩阵作为二维码槽结构。
本发明授权一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种厚铜陶瓷覆铜载板的半蚀刻二维码制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、获得上表面覆盖有防腐蚀蓝膜的厚铜载板； S2、打蚀刻结构，在防腐蚀蓝膜上打出若干内部具有蚀刻图形的读取单元格，若干读取单元格组成的矩阵构成二维码蚀刻区； 读取单元格包括防腐蚀蓝膜消除的蚀刻图形和防腐蚀蓝膜保留的保护图形； S3、化学蚀刻，通过控制蚀刻因子和蚀刻速度，以及读取单元格内的蚀刻图形，在读取单元格下方蚀刻出用于漫反射的粗糙底部的读取单元槽结构，若干读取单元槽结构组成的矩阵作为二维码槽结构； 组成所述半蚀刻二维码槽结构的读取单元槽结构蚀刻深度在30%至80%之间，蚀刻角度在104°至117°之间，蚀刻区底部的粗糙度Ra数值在6至8之间。
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