中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张元宁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311686317.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由张元宁设计研发完成，并于2023-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，提供具有沟槽结构的基底；通过绝缘材料沉积在沟槽结构内形成衬垫层，衬垫层覆盖沟槽结构的内壁，且沿自沟槽结构的槽口向槽底延伸的第一方向，衬垫层的厚度逐渐变小；对衬垫层进行表面预清洗，形成沿第一方向的厚度逐渐增大的薄化衬垫层；在具有薄化衬垫层的沟槽结构内填充金属材料，以形成导电结构。本申请通过形成上厚下薄的衬垫层，该衬垫层在表面预清洗过程中被刻蚀，但不会被刻蚀贯穿而裸露沟槽结构的侧壁，使得沟槽结构的形状得到有效控制，精确性好；同时能够有效控制该沟槽结构中后续形成的导电结构与相邻栅极之间的临界尺寸，降低经时击穿失效的风险，大大提升半导体结构的介电性能和可靠性。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有沟槽结构的基底；所述沟槽结构的下方形成有电极结构； 通过绝缘材料沉积在所述沟槽结构内形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述沟槽结构的内壁，且沿自所述沟槽结构的槽口向槽底延伸的第一方向，所述衬垫层的厚度逐渐变小；在所述衬垫层的形成过程中，对所述沟槽结构中沉积的绝缘材料进行刻蚀处理，以减小所述第一方向上在所述沟槽结构的侧壁上沉积的绝缘材料所形成的厚度差； 对所述衬垫层进行表面预清洗，以去除所述衬垫层的位于所述沟槽结构底面的部分，并减薄所述衬垫层的位于所述沟槽结构侧壁的部分，形成薄化衬垫层；所述薄化衬垫层沿所述第一方向的厚度逐渐增大； 在具有所述薄化衬垫层的沟槽结构内填充金属材料，以形成导电结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励