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龙图腾网获悉惠州市赛旺电子有限公司申请的专利一种新型高压禁止充电电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223693703U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520009237.X，技术领域涉及：H02J7/00；该实用新型一种新型高压禁止充电电路是由刘殿明;余建华设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型高压禁止充电电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型高压禁止充电电路，属于锂电池充电技术领域。该电路包括三极管U10、三极管Q6、电阻R56、电阻R65、稳压管DZ7、电阻R70、电容C42、电阻R57、电阻R58、三极管Q4、电阻R64、二极管D14、电阻R98、电阻R97、三极管U5、电阻R29、MOS充电开关QA1、电阻R52、稳压二极管D7、电容C36以及电容C37。本实用新型实施例的有益效果在于：可以通过三极管和稳压管来控制充电MOS开关；增加了防静电和稳定性；采用纯硬件方案，避免软件BUG导致电路异常问题；结构简单，使用元器件少，可以节约成本。

本实用新型一种新型高压禁止充电电路在权利要求书中公布了：1.一种新型高压禁止充电电路，其特征在于，包括三极管U10、三极管Q6、电阻R56、电阻R65、稳压管DZ7、电阻R70、电容C42、电阻R57、电阻R58、三极管Q4、电阻R64、二极管D14、电阻R98、电阻R97、三极管U5、电阻R29、MOS充电开关QA1、电阻R52、稳压二极管D7、电容C36以及电容C37；所述三极管U10的发射极与充电器输入C+连接，基极与三极管Q6的集电极连接，集电极与三极管Q4的基极连接；所述三极管Q6的发射极与三极管U10的发射极连接，基极与稳压管DZ7的负极连接；所述电阻R56一端连接于三极管U10的发射极和三极管Q6的发射极之间，另一端连接三极管U10的基极与三极管Q6的集电极之间；所述电阻R57一端连接于三极管U10的发射极和三极管Q6的发射极之间，另一端接地；所述电阻R65一端连接于三极管Q6的发射极，另一端连接三极管Q6的基极；所述电阻R70的一端连接稳压管DZ7的正极，另一端接地；所述电容C42一端连接稳压管DZ7的负极，另一端连接稳压管DZ7的正极；所述电阻R58串接于三极管U10的集电极与三极管Q4的基极之间；所述电阻R64一端连接三极管Q4的基极，另一端接地；所述三极管Q4的发射极接地，集电极连接二极管D14的负极；所述二极管D14的正极连接三极管U5的基极；所述电阻R98串接于二极管D14的正极与三极管U5的基极之间；所述电阻R97串接于三极管U5的基极和发射极之间；所述三极管U5的发射极连接IC芯片，集电极连接MOS充电开关QA1的栅极；所述电阻R29串接于三极管U5的集电极与MOS充电开关QA1的栅极之间；所述MOS充电开关QA1的源极连接充电器输入C-，漏极连接IC芯片；所述电容C36和电容C37串接于MOS充电开关QA1的源极与漏极之间；所述电阻R52串接于MOS充电开关QA1的栅极与源极之间；所述稳压二极管D7的负极连接MOS充电开关QA1的栅极，正极连接于MOS充电开关QA1的源极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人惠州市赛旺电子有限公司，其通讯地址为：516000 广东省惠州市仲恺高新区西坑工业园138-5号(3号厂房)2、3、4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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