芯联集成电路制造股份有限公司傅思宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种MEMS器件及电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223694004U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423318474.9，技术领域涉及：H04R19/00；该实用新型一种MEMS器件及电子装置是由傅思宇;陆晓龙;姚阳文设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS器件及电子装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MEMS器件及电子装置，MEMS器件包括：衬底；第一牺牲层，位于衬底的部分第一表面上；振膜，位于第一表面上方，部分振膜与衬底之间设置有第一牺牲层；第二牺牲层，部分地位于振膜上；背板层，部分地位于第二牺牲层上，背板层与振膜之间形成有空腔；背腔，露出振膜的部分表面；MEMS器件包括位于空腔外侧的第一导线区域和第二导线区域，第一导线区域的振膜中形成有贯穿振膜的第一通孔、每个第一通孔下方对应形成有一个位于第一牺牲层中的第一内腔，和或，第二导线区域的背板层中形成有贯穿背板层的第二通孔、每个第二通孔下方对应形成有一个位于第二牺牲层中的第二内腔。本申请方案能够降低MEMS器件的寄生电容。
本实用新型一种MEMS器件及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相背的第二表面； 第一牺牲层，位于所述衬底的部分第一表面上； 振膜，位于所述第一表面上方，且部分所述振膜与所述衬底之间设置有所述第一牺牲层； 第二牺牲层，部分地位于所述振膜上； 背板层，部分地位于所述第二牺牲层上，且所述背板层与所述振膜之间形成有空腔； 背腔，自所述衬底的第二表面贯穿所述衬底和所述第一牺牲层，并露出所述振膜的部分表面； 其中，所述MEMS器件包括位于所述空腔外侧的间隔设置的第一导线区域和第二导线区域，所述第一导线区域的所述振膜中形成有至少一个贯穿所述振膜的第一通孔、且每个所述第一通孔下方对应形成有一个位于所述第一牺牲层中的第一内腔，和或，所述第二导线区域的所述背板层中形成有至少一个贯穿所述背板层的第二通孔、且每个所述第二通孔下方对应形成有一个位于所述第二牺牲层中的第二内腔。
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