苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司霍树栋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司申请的专利一种二极管及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223694217U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423323906.5，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型一种二极管及电子设备是由霍树栋;高云云;张正兴设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二极管及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种二极管及电子设备，涉及微电子技术领域。该二极管包括：衬底、依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、第二半导体层和帽层，第一半导体层和第二半导体层的交界面处形成二维电子气，第二半导体层上还设有阴极，帽层包裹阴极的侧面；帽层背离第二半导体层的表面设有第一凹槽，第一凹槽延伸至第一半导体层内，第一凹槽的侧面与底面之间的夹角为钝角；还包括阳极，阳极包括第一阳极区域和与第一阳极区域连接的第二阳极区域，第一阳极区域位于第一凹槽内，第二阳极区域位于第一凹槽外并与帽层贴合。该二极管通过斜凹槽实现了对电容的稳定控制，通过帽层使电容变化更加平缓，第二阳极区域与帽层共同作用从而调制电容的变化范围。
本实用新型一种二极管及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种二极管，其特征在于，包括：衬底、依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第二半导体层和帽层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的交界面处形成二维电子气，所述第二半导体层上还设有阴极，所述帽层包裹所述阴极的侧面； 所述帽层背离所述第二半导体层的表面设有第一凹槽，所述第一凹槽延伸至所述第一半导体层内，所述第一凹槽的侧面与底面之间的夹角为钝角； 还包括阳极，所述阳极包括第一阳极区域和与所述第一阳极区域连接的第二阳极区域，所述第一阳极区域位于所述第一凹槽内，所述第二阳极区域位于所述第一凹槽外并与所述帽层贴合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城38号楼4-8；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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