台湾积体电路制造股份有限公司林俊言获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的单元区域及半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223694220U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422969487.6，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置的单元区域及半导体装置是由林俊言;黄敬余;林威呈;曾健庭设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的单元区域及半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置的单元区域、半导体装置及其制作方法。装置包括：堆叠在第二单元区域上的第一单元区域；其各自包括在第二有源区之上的第一有源区；在第一有源区之上的金属化的第一层中、M_第一电网段上的具有第一参考电压，M_第一布线段与M_第一布线轨迹对应地对齐；并且在第二有源区之下的金属化的第一层中，BM_第一电网段具有第二参考电压，以及BM_第一布线段与BM_第一布线轨迹对应地对齐。M_第一布线段在第一和第二单元区域中与M_第一布线轨迹的第一数量Q1和第二数量Q2相应地对齐，其中Q2Q1。BM_第一布线段在第一和第二单元区域中与BM_第一布线轨迹的第三和第四数量相应地对齐，其中Q4Q3。
本实用新型半导体装置的单元区域及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的单元区域，其特征在于，所述单元区域包括： 在第二有源区之上的第一有源区，所述第一有源区具有第一类型掺质，所述第二有源区具有与所述第一类型掺质不同的第二类型掺质； 在所述第一有源区之上的金属化的第一层中： M_第一电网段，被配置用于第一参考电压；以及 M_第一布线段，与M_第一布线轨迹的第一数量对齐；以及 在所述第二有源区之下的金属化的第一层中： BM_第一电网段，被配置用于与所述第一参考电压不同的第二参考电压；以及 BM_第一布线段，与BM_第一布线轨迹的第二数量对齐，所述第二数量小于所述第一数量。
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