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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利BCD器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223694221U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423318230.0，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型BCD器件是由吴涛;姚国亮;陈冬娟;胡雅静;吴旸;刘建平设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本BCD器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种BCD器件，包括衬底、第一阱区和第二阱区、至少一个欧姆接触区、第一介质层、第一栅氧化层及第一栅电极层。第一栅氧化层位于欧姆接触区以外的依次连续覆盖第一阱区的部分顶面、第一阱区与第二阱区之间的衬底及第二阱区的部分顶面，第一栅电极层的第二端部位于部分第一阱区的部分顶面；第一栅电极层的第一部分位于第一栅氧化层上，第三部分位于第一介质层之上，第二部分连接第一部分和第二部分，第三部分在第一方向上距离衬底表面的高度大于第一部分在第一方向上距离衬底表面的高度。本实用新型利用第一介质层将第一栅电极层的第三部分抬高，从而降低第一阱区的表面电场，进而降低HCI效应，提高了BCD器件的可靠性。

本实用新型BCD器件在权利要求书中公布了：1.一种BCD器件，其特征在于，包括： 衬底，垂直于所述衬底为第一方向，垂直于所述第一方向为第二方向； 掺杂类型相反的第一阱区和第二阱区，从衬底表面向下延伸，所述第一阱区和所述第二阱区在所述第二方向上相互分离； 至少一个欧姆接触区，所述欧姆接触区从第一阱区表面向下延伸； 第一介质层，位于部分所述第一阱区上； 第一栅氧化层，位于所述欧姆接触区以外的依次连续覆盖所述第一阱区的部分顶面、所述第一阱区与所述第二阱区之间的衬底及所述第二阱区的部分顶面，第一栅电极层的第二端部位于所述部分第一阱区的部分顶面，所述第一栅氧化层同所述第一介质层之间在所述第二方向上具有距离；以及， 所述第一栅电极层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分位于所述第一栅氧化层上，所述第三部分位于所述第一介质层之上，所述第二部分连接所述第一部分和所述第二部分，所述第三部分在所述第一方向上距离所述衬底表面的高度大于所述第一部分在所述第一方向上距离所述衬底表面的高度。

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