北京伽略电子股份有限公司刘兆敏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京伽略电子股份有限公司申请的专利一种可靠性高的ESD结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223694222U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423188431.3，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种可靠性高的ESD结构是由刘兆敏;李杏子;赵显西设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可靠性高的ESD结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种可靠性高的ESD结构，包括与PAD层分别相连的GGPMOS管M0、GGNMOS管M1，与管M1并联的GGNMOS管M2，连接在管M0栅极与源极之间的电阻R1，连接在管M1栅极与源极之间的电阻R0和连接在管M2漏极与管M1漏极之间的电阻R2。本实用新型对GND和对VDD都有ESD的泄放通路，经过流片测试，此ESD测试最高能通过4KV的电压，在工艺的设计规则允许下，尽量节省了面积，并且节省了传统ESD设计的流程时间和经济成本；能够非常好的保护好芯片不受静电影响，大大降低了芯片因为静电而引起的失效、锁死、损坏的概率；本实用新型既保证了ESD结构稳定，大大降低了芯片在制造，运输，以及使用过程中因为静电放电导致芯片损坏或者失效。
本实用新型一种可靠性高的ESD结构在权利要求书中公布了：1.一种可靠性高的ESD结构，其特征在于：包括与PAD层分别相连的GGPMOS管M0、GGNMOS管M1，与管M1并联的GGNMOS管M2，连接在管M0栅极与源极之间的电阻R1，连接在管M1栅极与源极之间的电阻R0和连接在管M2漏极与管M1漏极之间的电阻R2； 管M0漏极与PAD层相连、源极与电阻R1一端相连后连接电源电压VDD，管M1漏极与PAD层相连、源极与电阻R0一端相连后接地，管M2漏极连接在电阻R2与输出端之间、栅极与源极相连后接地； 电阻R0的阻值与电阻R1阻值相同，管M2尺寸小于管M0尺寸。
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