英特尔公司K·贾姆布纳坦获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111095563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094248.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部是由K·贾姆布纳坦;S·J·玛多克斯;C·C·邦伯格;A·S·默西设计研发完成，并于2017-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部在说明书摘要公布了：描述了用于在半导体器件的源极和漏极SD区上形成包括至少一种晶体的接触部的技术。可以形成晶体SD接触部，以使其与SD区的顶表面和侧表面的一些或全部共形。通过将前体选择性地沉积在一个或多个SD区的暴露部分上来形成本公开的晶体SD接触部。然后使前体在SD区的暴露部分上在原位发生反应。该反应形成与SD区的表面共形的导电的晶体SD接触部。
本发明授权在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 半导体主体，其包括顶表面和相对的侧壁； 所述半导体主体的所述顶表面和所述相对的侧壁上的栅极结构，所述栅极结构包括栅电极和处于所述栅电极与所述半导体主体之间的栅极电介质； 半导体源极区和半导体漏极区； 所述源极区的至少一部分上的源极接触部，所述源极接触部包括至少一种晶体并且包括元素金属；以及 所述漏极区的至少一部分上的漏极接触部，所述漏极接触部包括至少一种晶体并且包括元素金属， 其中，所述源极接触部和所述漏极接触部之间的厚度变化至多为5nm，所述源极区包括源极掺杂剂，并且所述漏极区包括漏极掺杂剂，所述源极掺杂剂和所述漏极掺杂剂在所述源极区与对应的源极接触部之间以及所述漏极区与对应的漏极接触部之间的界面的小于10nm内存在于所述对应的源极接触部和所述对应的漏极接触部中，并且所述源极接触部和所述漏极接触部所包括的元素金属在对应的所述界面的小于5nm内存在于所述源极区和所述漏极区中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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