三星电子株式会社林根元获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111326518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910858574.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体存储器装置是由林根元设计研发完成，并于2019-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：共源极线；基底，位于共源极线上；多个栅电极，布置在基底上并且在与共源极线的顶表面垂直的第一方向上彼此间隔开；多个绝缘膜，布置在所述多个栅电极之间；多个沟道结构，在第一方向上穿透通过所述多个栅电极和所述多个绝缘膜；以及多个剩余牺牲膜，布置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，所述多个栅电极设置在所述多个剩余牺牲膜的相对的侧上。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 共源极线； 基底，位于共源极线上； 多个栅电极，布置在基底上并且在与共源极线的顶表面垂直的第一方向上彼此间隔开； 多个绝缘膜，布置在所述多个栅电极之间； 多个沟道结构，在第一方向上穿透通过所述多个栅电极和所述多个绝缘膜； 多个剩余牺牲膜，布置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，所述多个剩余牺牲膜是在其中去除牺牲膜并形成栅电极的替换工艺中不被去除的牺牲膜；以及 共源极线抽头布线，设置在所述多个剩余牺牲膜上， 其中，所述多个栅电极设置在所述多个剩余牺牲膜的相对的侧上， 其中，所述半导体存储器装置还包括穿透通过基底并与所述多个剩余牺牲膜叠置的中间绝缘膜， 其中，共源极线在第一方向上与所述多个剩余牺牲膜间隔开，基底置于共源极线与所述多个剩余牺牲膜之间， 其中，所述半导体存储器装置还包括穿透通过基底、所述多个剩余牺牲膜和所述多个绝缘膜并且在水平方向上与中间绝缘膜间隔开的多个第二通孔，并且 其中，所述多个第二通孔电连接到共源极线抽头布线和共源极线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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