三星电子株式会社朴瑛琳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010552109.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由朴瑛琳;安世衡;姜相列;安敞茂;郑圭镐设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。
本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 在衬底上的着落焊盘； 下电极，在所述着落焊盘上并且连接到所述着落焊盘，所述下电极包括： 外部分，所述外部分包括第一区域和第二区域，以及 内部分，在所述外部分内部； 电介质膜，在所述下电极上以沿着所述外部分的所述第一区域延伸；以及 在所述电介质膜上的上电极， 其中所述外部分的所述第一区域对应于形成所述电介质膜的区域，所述外部分的所述第二区域对应于不形成所述电介质膜的区域， 其中所述下电极的所述外部分包括金属掺杂剂，所述外部分的所述第一区域中的所述金属掺杂剂的浓度高于所述外部分的所述第二区域中的所述金属掺杂剂的浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励