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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010673043.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权垂直存储器件是由林根元;孙仑焕;崔峻荣设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直存储器件在说明书摘要公布了：公开了垂直存储器件和制造垂直存储器件的方法。该垂直存储器件包括：衬底，具有单元块区域、块分离区域和边界区域；多个堆叠结构，布置在单元块区域和边界区域中使得绝缘中间层图案与电极图案交替地堆叠在衬底上。堆叠结构通过块分离区域在第三方向上间隔开。多个沟道结构在单元块区域中在第一方向上穿过堆叠结构延伸到衬底，并连接到衬底。多个虚设沟道结构在边界区域中延伸穿过每个堆叠结构的上部部分，并连接到与衬底间隔开的虚设底部电极图案。因此，基本上防止了在衬底附近的桥接缺陷。

本发明授权垂直存储器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器件，包括： 衬底，包括单元块区域、块分离区域以及在所述单元块区域与所述块分离区域之间的边界区域； 多个堆叠结构，在所述单元块区域和所述边界区域中，其中所述多个堆叠结构在基本上垂直于所述衬底的第一方向上堆叠，使得绝缘中间层图案与电极图案交替地堆叠在所述衬底上，以及其中所述堆叠结构通过所述块分离区域在基本上垂直于所述第一方向的第三方向上彼此间隔开； 多个沟道结构，在所述单元块区域中穿过所述堆叠结构中的相应堆叠结构延伸到所述衬底，使得所述多个沟道结构在所述第一方向上贯穿所述电极图案和所述绝缘中间层图案； 多个虚设沟道结构，在所述边界区域中延伸穿过所述堆叠结构中的相应堆叠结构的上部部分，使得所述多个虚设沟道结构在所述第一方向上贯穿所述电极图案和所述绝缘中间层图案并且连接到虚设底部电极图案，所述虚设底部电极图案包括与所述衬底间隔开的所述电极图案之一；以及 第二阻挡图案，与所述虚设沟道结构和所述绝缘中间层图案相邻， 其中所述多个虚设沟道结构中的虚设沟道结构包括在所述堆叠结构的上部部分处的第一表面，所述第一表面面对所述块分离区域上的空间， 其中所述第一表面基本上垂直于所述衬底， 其中所述绝缘中间层图案中的绝缘中间层图案包括在所述堆叠结构的下部部分处的第二表面， 其中所述第一表面和所述第二表面在所述第一方向上共面，以及 其中所述第一表面和所述第二表面沿所述第三方向与所述第二阻挡图案重叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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