哈根·斯科雷哈根·斯科雷获国家专利权
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龙图腾网获悉哈根·斯科雷申请的专利硅酸锂复合物及包含淬火步骤的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113403687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110240257.4,技术领域涉及:C30B29/34;该发明授权硅酸锂复合物及包含淬火步骤的方法是由哈根·斯科雷设计研发完成,并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅酸锂复合物及包含淬火步骤的方法在说明书摘要公布了:本发明是基于具有固态结构10a、硅酸盐、锂离子以及至少一种不同于锂、硅和氧的顺磁性或反磁性元素的复合物,其中固态结构10a具有两个区域20,其中固态结构10a形成相同的晶体取向。为了提供可利用的经改善的材料特性,建议将区域20排列在彼此的距离为至少一毫米30处。另一方面,本发明基于一种具有淬火步骤的方法,其制备复合物60的固态结构10b,该复合物60的固态结构10b与环境温度固态结构不同,其中复合物60具有硅酸盐、锂离子以及与锂、硅和氧不同的元素。为了提供可利用的经改善的材料特性,提出了在所述淬火步骤中制备至少一克的相纯phasepure的复合物60。
本发明授权硅酸锂复合物及包含淬火步骤的方法在权利要求书中公布了:1.一种复合物,其具有固态结构10a、硅酸盐、锂离子及至少一种顺磁性或反磁性元素,所述顺磁性或反磁性元素不同于锂、硅及氧并且是过渡金属离子,其中所述过渡金属离子是第七副族的副族元素,其中所述固态结构10a具有两个区域20,在所述两个区域中所述固态结构10a形成相同的晶体取向,所述复合物的特征在于,所述区域20排列成彼此距离30为至少一毫米。
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