台湾积体电路制造股份有限公司吴昀铮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223714499U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422333021.7，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体元件是由吴昀铮;林子敬;林日泽;刘骏逸;赖俊良;许智育设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：一种半导体元件被揭露。基板于第一区域上有第一半导体鳍且于第二区域有上第二半导体鳍，且第一半导体鳍和第二半导体鳍在差排区域相互接触。在差排区域内或邻近差排区域的虚设栅极被移除以暴露部分的第一半导体鳍并形成绝缘空间。蚀刻被实施以移除暴露部分的第一半导体鳍并在基板中形成沟槽。沟槽和绝缘空间被以至少一种介电材料填充以形成介在第一区域和第二区域之间的电绝缘结构。在每一个区域中额外的虚设栅极可被移除并置换为电导体材料，以形成相互电绝缘的两邻近晶体管。
本实用新型半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 一基板； 一第一半导体鳍，在一第一区域之上，和一第二半导体鳍，在一第二区域之上，其中该第一半导体鳍和该第二半导体鳍在一差排区域相互接触；以及 一介电绝缘结构，位于该差排区域中或邻近于该差排区域的该第一区域和该第二区域之间。
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