上海芯元基半导体科技有限公司陈朋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利一种半导体芯片结构、电子器件以及电子电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223714522U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423147557.6，技术领域涉及：H10H20/82；该实用新型一种半导体芯片结构、电子器件以及电子电路是由陈朋;郝茂盛;袁根如;张楠;杨磊;魏帅帅;马后永;马艳红;徐志伟设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体芯片结构、电子器件以及电子电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体芯片结构、电子器件以及电子电路，该半导体芯片结构包括外延层、芯片器件层、第一电极以及第二电极。其中，外延层的第一面为粗化面，粗化面设有若干个六梭锥微结构，每个六梭锥微结构的底部宽度均在0.5微米～1微米内，每个六梭锥微结构的高度均在0.7微米～1.5微米内，使得该粗化面较现有技术中的由若干个较大圆锥结构构成的粗化结构相比能够更有效地散射光线，从而提高出光效率。
本实用新型一种半导体芯片结构、电子器件以及电子电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片结构，其特征在于，包括： 外延层，所述外延层的第一面为粗化面，所述粗化面设有若干个六梭锥微结构，每个所述六梭锥微结构的底部宽度均在0.5微米～1微米内，每个所述六梭锥微结构的高度均在0.7微米～1.5微米内； 芯片器件层，所述芯片器件层位于所述外延层的第二面上的第一区域，所述外延层的第一面和第二面相对； 第一电极、第二电极，所述第一电极位于所述芯片器件层的表面，所述第二电极位于外延层的第二面上的第二区域。
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